<rt id="ytskv"></rt>
<ruby id="ytskv"><progress id="ytskv"></progress></ruby>
  • <i id="ytskv"></i><u id="ytskv"><address id="ytskv"></address></u>

      <ruby id="ytskv"></ruby>
      產品
      • 產品
      • 新聞
      SiC devices

      第三代半導體材料功率器件是未來高性能功率器件的重要組成部分之一。東微研發團隊在寬禁帶半導體研究上有豐富的經驗,相繼研發了并聯SiC的IGBT及寬禁帶場效應晶體管。

      目前量產的并聯SiC二極管的新一代高速IGBT,大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性,適合在追求極限效率的系統中使用,支持80-100kHz的高速開關和圖騰柱無橋PFC應用。

      產品列表

      下載資料
      Package   P/N   VGE (V) BV (V) IC (A) Vth_typ(V) Von(V)
      Tc=25℃ Vcesat Vf

      ? COPYRIGHT 2008 - 2022 蘇州東微半導體股份有限公司 版權所有  蘇ICP備18022065號-1

      噢噢再快点,美女另类偷窥亚洲熟女,边摸边吃奶边做视频叫床gif

        <rt id="ytskv"></rt>
      <ruby id="ytskv"><progress id="ytskv"></progress></ruby>
    1. <i id="ytskv"></i><u id="ytskv"><address id="ytskv"></address></u>

        <ruby id="ytskv"></ruby>